Модулятор інтенсивності Rof, тонкоплівковий модулятор ніобату літію, 20G TFLN модулятор

Модулятор інтенсивності Rof, тонкоплівковий модулятор ніобату літію, модулятор TFLN 20G, зображення у вибраному вигляді

Короткий опис:

Електрооптичний модулятор інтенсивності серії ROF-TFLN-20G базується на технології тонкоплівкового хвилеводу з ніобату літію та двотактній структурі MZ, з низькою напівхвильовою напругою та високою робочою смугою пропускання. Кінець зміщення (DC) використовує метод теплового налаштування, що може значно зменшити температурний дрейф та стабільно працювати протягом тривалого часу в будь-якій робочій точці. Порівняно з об'ємними модуляторами, він має менший об'єм, менше енергоспоживання та кращу стабільність.

Надіслати нам електронного листа ЗАВАНТАЖИТИ

Деталі продукту

Rofea Optoelectronics пропонує оптичні та фотонні електрооптичні модулятори

Теги продукту

Функція

Коефіцієнт згасання >25 дБ (типове значення 30 дБ)

Висока стабільність

Висока смуга пропускання модуляції

Низька напівхвильова напруга

Застосування

l Мікрохвильові фотони

Високошвидкісний оптичний зв'язок

l Квантова комунікація

Модулятор інтенсивності Rof EOM 20G тонкоплівковий модулятор ніобату літію TFLN модулятор

Параметр

Параметр		Символ	Хв	Тип	Макс	Одиниця
оптичні параметри
робоча довжина хвилі		l	1525		1565	nm
внесені втрати		IL		4.5	5.5	dB
Оптичні втрати відбиття		ОРЛ			-25	dB
Коефіцієнт згасання перемикача при постійному струмі		ER@DC	25	30		dB
оптичне волокно	вхідний термінал		Панда PM1550
оптичне волокно	вихідний кінець		Панда PM1550
оптоволоконний інтерфейс			ФК/ПК、FC/APC або вказаний користувачем
Електричні параметри
Робоча смуга пропускання (-3 дБ)		S₂₁	20	25		ГГц
Радіочастотна напівхвильова напруга Vpi		Vπ@1GHz			3.5	V
Зміщена напівхвильова потужність Ppi		Pπ@Bias		45	50	mW
Максимальна вхідна напруга на кінці зміщення					8	V
Електричні втрати на відбиття		S₁₁		-12	-10	dB
Вхідний імпеданс радіочастотного сигналу		Z_RF		50		W
Електричний інтерфейс			2,92 мм жіночий

Екстремальні умови

Pарометр	Символ	Одиниця	Хв	Тип	Макс
Вхідна оптична потужність @ 1550 нм	P_{в, Макс}	дБм			20
Вхідна потужність радіочастотного сигналу		дБм			23
Напруга зміщення на кінці зміщення	Vbias	V	0		8
Робоча температура	Верх	°C	-10		60
Температура зберігання	Тст	°C	-40		85
вологість	RH	%	5		90

Розмір упаковки (мм)

Характеристична крива

Інформація про замовлення

Тонкоплівковий модулятор інтенсивності на основі ніобату літію 20 ГГц

РОФ	ТФЛН	XX	XX	XX
	Тонкоплівковий модулятор інтенсивності ніобату літію	робоча пропускна здатність：20 ГГц --- 20 ГГц	Вхід/вихід оптоволоконний：ПП---ПМФ-ПМФ	з'єднання：FA---FC/APCFP---FC/PCSP---вказано користувачем

Попередній: Rof RF модуль 0.6-6G Мікрохвильова оптична волоконна передача Аналоговий канал радіочастотного зв'язку по оптоволокну

Далі: ROF InGaAs фотодетектор вільно працюючий однофотонний детектор

Rofea Optoelectronics пропонує лінійку комерційних електрооптичних модуляторів, фазових модуляторів, модуляторів інтенсивності, фотодетекторів, лазерних джерел світла, DFB-лазерів, оптичних підсилювачів, EDFA, SLD-лазерів, QPSK-модуляцій, імпульсних лазерів, світлових детекторів, збалансованих фотодетекторів, лазерних драйверів, волоконно-оптичних підсилювачів, вимірювачів оптичної потужності, широкосмугових лазерів, настроюваних лазерів, оптичних детекторів, драйверів лазерних діодів, волоконних підсилювачів. Ми також пропонуємо багато спеціальних модуляторів для налаштування, таких як фазові модулятори з матрикою 1*4, модулятори з наднизьким Vpi та надвисоким коефіцієнтом екстинкції, які в основному використовуються в університетах та інститутах.
Сподіваємося, що наші продукти будуть корисними для вас та ваших досліджень.

Супутні товари

Електрооптичний модулятор Rof 1550 нм серії AM, модулятор інтенсивності 20G