ROF-PD-70 InGaAs фотоприймач надширокосмуговий фотодетектор
Функція
Надвисока пропускна здатність
Висока світлочутливість
Низький темновий струм
Низька стояча хвиля порту
Застосування
Параметри
Примітка: Якщо не зазначено інше, температура випробування становить 25 ℃.
| Параметр | Сим | Умови випробування | Хв | Тип | Макс | Одиниця |
| Робоча довжина хвилі | λ | 1260 | 1550 | 1570 | nm | |
| Швидкість реагування | R | Pin=0 дБм, Vr=+2, Vλ=1550 нм |
| 0,6 |
| A/W |
| Темна течія | Id | Vr =+2 В |
| 20 | 60 | nA |
| смуга пропускання 3 дБ | BW | Pin=0 дБм, Vr =+2, Vλ=1550 нм | 60 | 67 |
| ГГц |
| Втрати відбиття радіочастот | С22 | Pin=0dBm, Vr =+2, в діапазоні 10M-67GHz |
| -10 | -8 | dB |
| Насичена оптична сила | ПсАТ | Vr = +2 В, λ = 1550 нм |
| 7 |
| дБм |
Максимальне абсолютне номінальне значення
Максимальне абсолютне номінальне значення
| назва параметра | Сим | Rзначення | Одиниця |
| оптична сила | Ps | 10 | дБм |
| Позитивна напруга зміщення | Vr | 5 | V |
| Робоча температура | Верх | -40 ~ +70 | ℃ |
| Температура зберігання | Тстг | -55 ~ +85 | ℃ |
Типові криві відгуку:
Пакети (одиниця вимірювання: мм)
Розміри та визначення штифтів
| ПІН-код | Функціональний опис |
| Упередженість | +1-3 В (рекомендовано +2 В) |
| ЗЕМЛЯ | заземлення |
| Оптоволоконний інтерфейс | Оптоволоконне SMF/оптоволоконне PMF, роз'єм FC/APC, контакт ≤ 10 дБм (рекомендовано ≤ 0-7 дБм) |
| Радіочастотний інтерфейс | 1,85 мм，мати |
Інформація для замовлення
| R | PD | 70 Г | A | XX | XX | XX |
| Фотодетектор | Смуга пропускання -3 дБ 70---70 ГГц | Робоча довжина хвилі: 1260~1570 нм | SM ---- одномодове волокно | Тип роз'єму FP ---FC/PCFA ---FC/APC | Спосіб з'єднання: постійний струм |
Застереження щодо використання
1. Слід вжити необхідних заходів захисту від електростатичної електрики, щоб уникнути пошкодження.
2. Не тягніть безпосередньо за хвостове волокно, щоб уникнути пошкодження пристрою.
3. Зверніть увагу на чистоту оптичного роз'єму, щоб уникнути забруднення пилом або іншими сторонніми предметами, які можуть вплинути на його роботу.
Про нас
Rofea Optoelectronics представляє широкий асортимент електрооптичної продукції, включаючи модулятори, фотодетектори, лазерні джерела, DFB-лазери, оптичні підсилювачі, EDFA, SLD-лазери, QPSK-модуляцію, імпульсні лазери, фотодетектори, збалансовані фотодетектори, напівпровідникові лазери, лазерні драйвери, волоконні з'єднувачі, імпульсні лазери, волоконні підсилювачі, вимірювачі оптичної потужності, широкосмугові лазери, лазери з регульованою частотою, оптичні затримки, електрооптичні модулятори, фотодетектори, драйвери лазерних діодів, волоконні підсилювачі, волоконні підсилювачі, леговані ербієм, та лазери-джерела.
Ми також пропонуємо модулятори на замовлення, включаючи фазові модулятори масиву 1*4, модулятори з наднизьким Vpi та надвисоким коефіцієнтом екстинкції, спеціально розроблені для університетів та дослідницьких інститутів.
Ці продукти мають електрооптичну смугу пропускання до 40 ГГц, діапазон довжин хвиль від 780 нм до 2000 нм, низькі внесені втрати, низький рівень напруги (Vp) та високий коефіцієнт перференційної точності (PER), що робить їх придатними для різноманітних аналогових радіочастотних каналів та високошвидкісних комунікаційних застосувань.
Rofea Optoelectronics пропонує лінійку комерційних електрооптичних модуляторів, фазових модуляторів, модуляторів інтенсивності, фотодетекторів, лазерних джерел світла, DFB-лазерів, оптичних підсилювачів, EDFA, SLD-лазерів, QPSK-модуляцій, імпульсних лазерів, світлових детекторів, збалансованих фотодетекторів, лазерних драйверів, волоконно-оптичних підсилювачів, вимірювачів оптичної потужності, широкосмугових лазерів, настроюваних лазерів, оптичних детекторів, драйверів лазерних діодів, волоконних підсилювачів. Ми також пропонуємо багато спеціальних модуляторів для налаштування, таких як фазові модулятори масиву 1*4, модулятори з наднизьким Vpi та надвисоким коефіцієнтом екстинкції, які в основному використовуються в університетах та інститутах.
Сподіваємося, що наші продукти будуть корисними для вас та ваших досліджень.
